Le sortilège TC4 titanique boulonne la surface de passivation pour l'industrie automobile

Le titane TC4 hexagonal boulonne la surface de passivation pour l'industrie automobile.
 
Description
Les boulons hexagonaux titaniques sont l'un des boulons d'ultra-haut-force produits par les matériaux spéciaux.
Des boulons hexagonaux titaniques sont produits et traités avec les matériaux titaniques résistants à la chaleur et anticorrosion de haute résistance d'alliage.
  

Avantages de passivation
1) comparé à la méthode de scellage physique traditionnelle, le processus de passivation a les caractéristiques d'absolument aucune augmentation de l'épaisseur de l'objet et d'aucun changement de la couleur, qui améliore la précision et la valeur ajoutée du produit et rend l'opération plus commode ;
2) puisque le processus de passivation est suivi dans un état non-réactif, l'agent de passivation peut être ajouté et employé à plusieurs reprises, ainsi la vie est plus longue et le coût est plus économique.
3) la passivation favorise la formation du film de passivation de structure moléculaire de l'oxygène sur la surface métallique, la couche de film est dense, la représentation est stable, et elle a un effet à réparation automatique dans le ciel, ainsi comparé à la méthode traditionnelle d'appliquer l'huile antirouille, la passivation a formé le film de passivation est plus stable et anticorrosion.

La plupart des effets de charge en couche d'oxyde directement ou indirectement sont liées au processus thermique d'oxydation. Dans la température ambiante de 800-1250℃, le processus thermique d'oxydation avec l'oxygène sec, l'oxygène humide ou la vapeur d'eau a trois étapes continues.

D'abord, l'oxygène dans l'atmosphère ambiante écrit la couche formée d'oxyde, et puis les passages de l'oxygène par le bioxyde. Le silicium répand à l'intérieur, et quand il atteint l'interface de Si02-Si, il réagit avec du silicium pour former le nouveau silice. De cette façon, le processus d'entrée-diffusion-réaction de l'oxygène continue à se produire, de sorte que le silicium près de l'interface soit sans interruption converti en silice, et la couche d'oxyde se développe dans la gaufrette de silicium à un certain taux.

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